新传媒网创伤性脑损伤 (TBI) 已导致 1% 至 2% 的人口残疾，而患者中最常见的残疾之一是短期记忆问题。电刺激已成为改善其他神经系统疾病患者大脑功能的可行工具。
现在， 《Brain Stimulation》杂志上的一项新研究表明，对脑外伤患者进行有针对性的电刺激可以使记忆单词的能力平均提高 19%。
由宾夕法尼亚大学心理学教授迈克尔·雅各布·卡哈纳 (Michael Jacob Kahana) 领导的神经科学家团队研究了植入电极的 TBI 患者，分析了患者学习单词时的神经数据，并使用机器学习算法来预测短暂的记忆衰退。其他主要作者包括卫斯理大学心理学教授 Youssef Ezzyat 和宾夕法尼亚大学研究科学家 Paul Wanda。
卡哈纳说：“过去十年，使用脑刺激治疗癫痫、帕金森病和抑郁症等多种神经和精神疾病方面取得了巨大进展。”“然而，记忆丧失对社会来说是一个巨大的负担。我们缺乏有效的治疗方法来治疗 2700 万美国人的痛苦。”
研究合著者、宾夕法尼亚大学医学院创伤性脑损伤临床研究中心主任拉蒙·迪亚兹-阿拉斯蒂亚 (Ramon Diaz-Arrastia) 表示，卡哈纳和他的团队开发的技术可以“在正确的时间提供正确的刺激，根据个人大脑的线路提供信息，并且个人成功的记忆检索。”
他说，造成 TBI 的主要原因是机动车事故(该事故正在减少)和跌倒(由于人口老龄化，该事故正在增加)。其次最常见的原因是参与接触性运动造成的 袭击和头部受伤。
这项新研究以 Ezzyat、Kahana 及其合作者之前的工作为基础。他们在 2017 年发表了他们的研究结果，表明在记忆力预计会下降时进行刺激可以改善记忆力，而在功能良好期间进行刺激则会恶化记忆力。该研究中的刺激是开环的，这意味着它是由计算机应用的，而不考虑大脑的状态。
